日前，以技術創新享譽世界的精工愛普生集團與富士通有限公司聯合發布了基于下一代鐵電存儲器（FeRAM）技術聯合開發的項目成果。此項新技術創建了領先傳統FeRAM 4倍的全新的高度集成化的FeRAM存儲器核心制程，擁有令人耳目一新的超高性能，讀/寫速度達到傳統FeRAM的 3倍，并擁有卓越的可靠性，能夠進行超過100萬億次的讀寫循環操作。專家指出，由于這項全新的鐵電制程可以加入至現有的CMOS邏輯電路制程之中，因此很適合用于大規模制造技術的開發。

      作為一項安全存儲器領域的尖端技術，FeRAM受到了普遍關注，此次精工愛普生集團聯手富士通發布的研發成果，其性能水平在全球可謂是首屈一指。據了解，早在2005年6月，雙方正式宣布聯合開發協議之后，愛普生與富士通公司就開始攜手致力于下一代FRAM非易失存儲器領域的技術開發，并最終取得了圓滿成功，獲得了預期的效果。

       為了更好地將這一領先技術加以應用，愛普生準備將此項目成果與其所擁有的低功率CMOS技術相結合，進一步加速其在大規模集成電路（LSI）領域的開發與商業化進程，從而用于電池驅動式裝置和便攜式裝置的生產之中。而富士通公司也將基于該項項目成果繼續開發大規模制造技術，從而使其在FeRAM適用的安全應用市場上充分發揮出其低功耗和高讀/寫速度的優點外，進一步開發內嵌式FeRAM微控制器的新市場，從而進一步滿足多元化的消費者需求。